光模塊外殼圖

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本文目錄一覽：

1、光模塊外殼圖

2、光模塊ab端怎么區分？

光模塊外殼圖

原文標題：2021年全球磷化銦襯底行業現狀、競爭格局及趨勢分析，5G基站建設帶動光模塊需求「圖」

一、磷化銦襯底綜述

襯底是具有特定晶面和適當電學，光學和機械特性的用于生長外延層的潔凈單晶薄片。常見的半導體材料以物理性能區分可劃分為三代：以硅、鍺等元素半導體材料為代表的第一代，奠定微電子產業基礎；以砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）等化合物材料為代表的第二代，奠定信息產業基礎；以及以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬禁帶半導體材料為代表的第三代，支撐戰略性新興產業的發展。

襯底材料分類

資料來源：公開資料整理

在高頻、高功耗、高壓、高溫等特殊應用領域，III-V族化合物半導體材料以及寬禁帶化合物半導體材料作為襯底有獨特的優勢。具體InP、SiC、GaN等半導體材料特性參數對比如下：

InP、SiC、GaN等材料的特性參數對比

資料來源：公開資料整理

二、磷化銦行業相關政策梳理

磷化銦是半導體產業金屬新材料中5G產業金屬相關材料，5G產業金屬相關材料主要包括高頻覆銅板、砷化鎵、磷化銦等。從政策端來看，政策大力支持，為新材料行業發展保駕護航。由于我國關鍵材料領域供給缺口較大，國家相繼頒布相關政策規劃大力發展新材料行業。2012年以來，各部門相繼出臺新材料產業發展規劃和指導意見，通過綱領性文件、指導性文件、規劃發展目標與任務等構筑起新材料發展政策金字塔，予以全產業鏈、全方位的指導。

中國新材料行業相關政策梳理

資料來源：政府公開報告，華經產業研究院整理

三、磷化銦襯底產業鏈

磷化銦是磷和銦的化合物，磷化銦作為半導體材料具有優良特性。使用磷化銦襯底制造的半導體器件，具備飽和電子漂移速度高、發光波長適宜光纖低損通信、抗輻射能力強、導熱性好、光電轉換效率高、禁帶寬度較高等特性，因此磷化銦襯底可被廣泛應用于制造光模塊器件、傳感器件、高端射頻器件等對應下游終端領域包括5G通信、數據中心、人工智能、無人駕駛、可穿戴設備等領域。

磷化銦襯底產業鏈

資料來源：公開資料整理

銦最多獲取自硫化鋅礦物閃鋅礦。從鋅礦中回收的銦含量在百萬分之一到萬分之一之間。盡管黃銅礦和錫石等基礎金屬硫化物中也有微量銦存在，但這些礦物的大多數礦床對銦的回收不經濟。據USGS數據，2021年全球銦產量920噸，其中我國產量530噸，占比57.6%。由于銦為伴生礦，無法估算儲量。

2020-2021年全球各國銦產量情況

資料來源：USGS，華經產業研究院整理

四、磷化銦襯底行業現狀分析

1、磷化銦襯底應用情況

從全球磷化銦襯底應用情況來看，據Yole數據顯示，2020年光模塊器件、傳感器件、高端射頻器件三者銷量占比分別為82%、4%和14%。光模塊器件和高端射頻器件目前是磷化銦下游主要的應用。

2020年全球磷化銦襯底下游市場銷量結構情況

資料來源：Yole,華經產業研究院整理

2、光模塊領域磷化銦襯底市場現狀

從光模塊器件領域磷化銦市場銷量來看，受益于全球范圍內5G基站大規模建設的鋪開，以及在數據流量爆發增長的背景下，全球云計算產業的發展也將帶動全球范圍內數據中心的大量建設，帶動磷化銦襯底市場。據統計，2020年全球光模塊器件磷化銦襯底銷量為43.88萬片（折合2英寸），同比增長9.40%。預計2026年市場銷量達到100.03萬片，2019年-2026年復合增長率達13.94%。

2019-2026年全球光模塊器件磷化銦襯底銷量及增速情況

資料來源：Yole,華經產業研究院整理

從市場規模來看，據Yole數據，2020年全球光模塊器件磷化銦襯底市場規模為0.77億美元，同比增長8.45%。預計2026年市場規模達到1.57億美元，2019-2026年復合增長率達13.94%。

2019-2026年全球光模塊器件磷化銦襯底市場規模及增速

資料來源：Yole,華經產業研究院整理

五、磷化銦襯底行業競爭格局

從市場格局來看，磷化銦襯底材料市場頭部企業集中度很高，主要供應商包括Sumitomo、北京通美（AXT持股85.6%）、日本JX等。據統計，2020年全球前三大廠商占據磷化銦襯底市場90%以上市場份額，其中Sumitomo為全球第一大廠商，占比為42%；北京通美位居第二，占比36%。

2020年全球磷化銦襯底市場競爭格局情況

資料來源：Yole,華經產業研究院整理

六、磷化銦襯底行業未來發展趨勢

1、磷化銦襯底用于制造光模塊中的激光器和接收器，隨著5G基站建設的大規模鋪開，將極大帶動對光模塊需求的增長。光模塊是光通信的核心器件，主要應用于通信基站和數據中心等領域。磷化銦襯底用于制造光模塊中的激光器和接收器。根據相關數據，5G基站對光模塊的使用量顯著高于4G基站，隨著5G基站建設的大規模鋪開，疊加5G基站網絡結構的變化，將極大帶動對光模塊需求的增長。

2、光通信芯片主要基于成本較高的InP材料體系，而磷化銦單晶制備技術壁壘高，美國AXT公司和日本住友掌握著行業核心技術。能使單晶批量化生長的技術主要有高壓液封直拉法（LEC）、垂直溫度梯度凝固法（VGF）和垂直布里奇曼法（VB）。美國AXT公司和日本住友分別使用VGF和VB技術可以生長出直徑150mm的磷化銦單晶，日本住友使用VB法制備的直徑4英寸摻Fe半絕緣單晶襯底可以批量生產。VGF生產技術要求晶體表面翹曲度小于15微米，位錯水平越低越好。中國磷化銦制備技術與國際水平仍有較大差距，國內企業產能規模較小，大尺寸磷化銦晶片生產能力不足。

國內開展磷化銦單晶材料的研究工作已經超過30年，但磷化銦單晶生長技術的研究規模、項目支持力度和投入較小，與國際水平還存在較大差距。目前，國內除通美北京工廠（AXT持股85.6%）外，尚沒有可批量生產單晶襯底的廠家。但傳統的砷化鎵、鍺單晶襯底廠家包括珠海鼎泰芯源公司、云南鍺業、先導稀材、中科晶電、東一晶體在內的廠家正在積極布局。目前，由于國內激光器外延廠家尚未實現大規模生產，磷化銦襯底占全球總市場份額不足2%。

原文標題：2021年全球磷化銦襯底行業現狀、競爭格局及趨勢分析，5G基站建設帶動光模塊需求「圖」

華經產業研究院對中國磷化銦襯底行業發展現狀、行業上下游產業鏈、競爭格局及重點企業等進行了深入剖析，最大限度地降低企業投資風險與經營成本，提高企業競爭力；并運用多種數據分析技術，對行業發展趨勢進行預測，以便企業能及時搶占市場先機；更多詳細內容，請關注華經產業研究院出版的《2022-2027年中國磷化銦行業市場全景評估及發展戰略規劃報告》。

光模塊ab端怎么區分？

答:光模塊ab端的區分方式。1.看光纜米標,米標數字小的一端為A端,米標數字大的一端為B端。

2.看光纜截面,領示色光纖(或填充管)順時針排列時,此截面為A端,反之,如果呈逆時針排列,則判斷為B端。

3.看方向及局站級別,東西方向,東為A端,西為B端,南北方向,北為A端,南為B端(此方法不常用,一般在施工設計時已確定A、B端)。

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