作者：網絡投稿 發布時間：2023-03-06 00:00 閱讀次數：120
網上有很多關于光模塊外殼市場,數通和電信市場雙輪驅動的知識，也有很多人為大家解答關于光模塊外殼市場的問題，今天瑞達豐光模塊外殼加工廠(www.xindifood.com)為大家整理了關于這方面的知識，讓我們一起來看下吧!
1、光模塊外殼市場
（報告出品方/分析師：國金證券 樊志遠 邵廣雨）
1.1 光芯片系光通信核心元件，位于光通信產業鏈上游
2023 年全球光電子市場規模有望達 454 億美元。
根據 2022 年 11 月 WSTS 的最新數據，2022 年全球光電子市場規模預計將達到 438 億美元，相較 2021 年的 434 億美元成長 1%。2023 年全球光電子市場規模有望同比增長 4%，達到 454 億美元。
光芯片是利用光電轉換效應制成的光電子器件。光電子器件包括發光二極管、激光器芯片、 探測器芯片、光電耦合器等。在光通信等應用領域中，光芯片位于產業鏈上游，是光模塊的核心元件，主要由激光器芯片和探測器芯片組成。
受益于全球數據量快速增長，光通信逐漸崛起。
在全球信息和數據互聯快速成長的背景下，終端產生的數據量每隔幾年就實現翻倍增長，當前的基礎電子通訊架構漸漸無法滿足海量數據的傳輸需求，光電信息技術逐步崛起。
光通信是以光信號為信息載體，以光纖作為傳輸介質，光芯片實現電光轉換，將信息以光信號的形式進行信息傳輸的系統。
光通信傳輸過程中，發射端將電信號轉換成激光信號，然后調制激光器發出的激光束，通過光纖傳遞，在接收端接收到激光信號后再將其轉化為電信號，經調制解調后變為信息，其中需要光芯片來實現電信號和光信號之間的相互轉換，光芯片是光電技術產品的核心，廣泛應用于 5G 前傳、光接入網絡、城域網和數據中心等場景，處于光通信領域的金字塔尖。
光芯片可以進一步組裝加工成光電子器件，再集成到光通信設備的收發模塊實現廣泛應用。
光芯片位于光通信產業鏈上游，光芯片的性能決定了光模塊的傳輸速率。
從產業鏈角度看，光芯片與電芯片、PCB、結構件以及套管等組成了光通訊產業上游。
產業鏈中游為光器件，光器件根據組件內部是否發生光電能量轉換可分為光無源組件和光有源組件。
光無源組件在系統中消耗一定能量，實現光信號的傳導、分流、阻擋、過濾等交通功能，主要包含光隔離器、光分路器、光開關、光連接器、光背板。
光有源組件能夠在系統中實現光電信號的相互轉換，實現信號傳輸的功能，主要包括光發射組件、光接收組件、光調制器等，光發射組件（TOSA）及光接收組件（ROSA）都由光芯片封裝而來，再將光收發組件、電芯片、結構件等進一步加工成光模塊。
產業鏈下游則為各種應用領域，包括如光纖接入、4G/5G 移動通信網絡，云計算、互聯網廠商數據中心等。
光芯片按功能可以分為激光器芯片和探測器芯片。
激光器芯片主要用于發射信號，將電信號轉化為光信號，探測器芯片主要用于接收信號，將光信號轉化為電信號。激光器芯片根據諧振腔制造工藝的不同可分為邊發射激光芯片（EEL）和面發射激光芯片（VCSEL）。
邊發射激光器芯片是在芯片的兩側鍍光學膜形成諧振腔，沿平行于襯底表面發射激光，而面 發射激光器芯片是在芯片的上下兩面鍍光學膜，形成諧振腔，由于光學諧振腔與襯底垂直， 能夠實現垂直于芯片表面發射激光。
面發射激光器芯片有低閾值電流、穩定單波長工作、可高頻調制、容易二維集成、沒有腔面閾值損傷、制造成本低等優點，但輸出功率及電光效率較邊發射激光芯片低。面發射芯片包括 VCSEL 芯片，邊發射芯片包括 FP、DFB 和 EML 芯片；探測器芯片主要包括 PIN 和 APD 兩類。
光芯片常使用三五族化合物磷化銦（InP）和砷化鎵（GaAs）作為芯片的襯底材料。
以三五族元素的化合物構成的半導體材料具有高頻、高低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強、電子遷移率高、光電性能好等優點，符合高頻通信的特點，在高頻、高功耗、高壓、高溫等特殊應用領域具備獨特的優勢，因此在光通信芯片領域得到廣泛使用。
磷化銦（InP）襯底用于制作 FP、DFB、EML 邊發射激光器芯片和 PIN、APD 探測器芯片，主要應用于電信、數據中心等中長距離傳輸；砷化鎵（GaAs）襯底用于制作 VCSEL 面發射激光器芯片，主要應用于數據中心短距離傳輸、3D 感測等領域。
不同光芯片的終端應用場景廣泛。
激光器芯片，按出光結構可分為面發射芯片和邊發射芯片，面發射芯片包括 VCSEL 芯片，邊發射芯片包括 FP、DFB 和 EML 芯片；探測器芯片主要 包括 PIN 和 APD 兩類。
根據產業調研，VCSEL 芯片傳輸距離較短，多用于數據中心內部數據傳輸。
DFB 芯片價格適中，是目前商用最多的激光器芯片，商用速率最高 50G，價格相較 EML 更便宜。
EML 傳輸距離長，但價格較高，技術難度也較大，電路設計較繁瑣，但傳輸速度非常高。而探測器芯片技術壁壘相對較低，國內廠商投入研發的時間相對較早。
1.2 需求端：數通和電信雙輪驅動光芯片向上成長
數據中心和電信雙輪驅動，預計 2025 年全球光模塊市場規模達 113 億美元，21-25 年 CAGR 達 11.3%。隨著光電子、云計算技術等不斷成熟，更多終端應用需求不斷涌現，并對通信 技術提出更高的要求。
受益于全球數據中心、光纖寬帶接入以及 5G 通訊的持續發展，光模塊作為光通信產業鏈最為重要的器件保持持續增長。
根據 LightCounting 的數據，2016 年至 2020 年，全球光模塊市場規模從 58.6 億美元成長到 66.7 億美元，2025 年全球光模塊市場規模預計將達到 113 億美元，21-25 年 CAGR 達 11.3%。
核心驅動力一：數通市場持續受益于數據中心架構升級以及國內外互聯網廠商云業務相關建設持續景氣
全球數據量的指數級增長，拉動數據中心、服務器、光模塊等配套需求。
根據應用材料的數據，機器所產生的數據量在 2018 年首次超越人類所創造的數據量，從 2019 年，每年幾乎以倍數的幅度來增加，從 2020 年到 2025 年，全球數據增量將達到 157 Zetabytes (1 Yotabyte=1000 Zetabytes;1 Zetabyte=1000 Exabytes; 1 Exabyte=1000 Petabytes; 1 Petabyte=1000 Terabytes; 1 Terabyte=1000 Gigabytes)，5 年高達 89%的復合增速。
以這樣的速度增長，我們很快在 2028 年就會看到超過 1 Yotabyte 的數據增量。
這么龐大的數據增量，不可能用人工來處理分析，必須建設各種具備高速運算能力的數據中心來過濾、處理分析、訓練及推理，這將持續帶動各類光芯片和光模塊的需求。
根據 Omdia 的數據，2018 年至 2024 年全球固定網絡和移動網絡數據量將從 130 萬 PB 增長至 576 萬 PB，18-24 年 CAGR 達 28.7%。
全球數據中心數量不斷增加，光芯片重要性不斷凸顯，2025 年全球數據中心光模塊市場規模預計將達到 73 億美元，21-25 年 CAGR 達 14%。
云計算的普及推動了數據中心的快速發展，全球互聯網業務及應用數據處理集中在數據中心進行，使得數據流量迅速增長，數據中心的數量也快速增加。
根據 Synergy Research Group 的數據，2024 年全球超大型數據中心數量將超過 1000 個。而隨著終端業務的演進，數據中心需內部處理的數據流量遠大于需向外傳輸的數據流量，使得數據處理復雜度不斷提高。
光通信技術在數據中心內的應用，極大地提高了數據中心的計算能力和數據交換能力。
光模塊是數據中心內部互連和數據中心相互連接的核心部件，根據 LightCounting 的數據，2021 年全球數據中心光模塊市場規模預計為 43.8 億美元，2025 年全球數據中心光模塊市場規模預計將增長至 73.3 億美元，21-25 年 CAGR 達 14%。
數據業務變革導致東西向流量快速增加。
數據中心內，我們將網絡數據流量分成兩類：第一類是南北向流量，也就是數據中心外部用戶和內部服務器之間交互的數據流量；第二類是東西向流量，也就是數據中心內部交互的數據流量。傳統數據中心多承擔南北向流量的任務，完成服務器與外部終端之間的互聯任務。
但隨著數據業務的發展，虛擬化服務器、軟件架構解耦、AI 和 ML 以及軟件定義網絡（SDN）等新業務形態的崛起，導致數據中心的流量結構發生了巨大變化，平級設備間的數據流動不斷增加，也就是東西向流量不斷增加。
根據 IDC 的數據，全球數據正在向核心服務器和邊緣服務器轉移。2025 年全球有將近 80% 的數據將存儲于核心和邊緣，較 2015 年的 35%大幅度成長。
根據思科的預測，2021 年東西向流量將占 85%，其中數據中心內部的流量占 71.5%，數據中心之間的流量占 13.6%。
流量結構改變驅動葉脊式架構漸成數據中心主流，光模塊需求量倍增。
傳統的大型數據中心網絡架構通常為三層架構，包含核心層、匯聚層以及接入層。傳統的三層網絡架構主要基于南北向流量傳輸模型而設計，主要滿足外部對數據中心的訪問。
東西向流量的增加，給傳統三層式網絡架構帶來新的挑戰，因為服務器和服務器之間的通信并不能平行進行，其數據走向必須經過：接入層->匯聚層->核心層->匯聚層->接入層，從而給上層的核心交換機和匯聚交換機造成巨大負載。
隨著 IT 基礎架構進入云計算時代，傳統數據開始向云數據中心轉型，但傳統三層式網絡架構在云數據中心內效率并不高，因為傳統架構中流量的處理需要經過層層的交換機，導致通信時延較長，同時不同服務器之間通信路徑并不確定，從而導致時延的不可預測性。
通訊時延長和不可預測性對于部署在云數據中心上的大數據等業務來說是不可接受的。
因此葉脊式網絡架構開始興起，相較傳統網絡的三層架構，葉脊式網絡架構更加扁平化，且擴大了接入和匯聚層，大大提高網絡的效率，特別是高性能計算集群或高頻流量通信設備的互聯網絡。隨著葉脊網絡架構的普及，單機柜需要配置的光模塊數量也將顯著增加。
據中際旭創可轉換債券募集書披露，傳統三層式架構光模塊相對機柜的倍數為 8.8 倍，當數據中心網絡架構向葉脊式過渡后，光模塊相對機柜的倍數將成長到 46 倍。
全球上“云”，光模塊作為云 IT 基礎設施有望持續受益。
雖然我們看到半導體市場正在經歷高通脹、資本開支下降、終端需求放緩等外因沖擊，但是以國內外互聯網大廠為代表的 CSP 和 MDC 廠商為了滿足日益增長的云業務以及隨之產生的海量數據存儲、運算等需求，都加大了對數據中心、服務器以及基礎網絡設施的投資。北美四大 CSP 廠商的業績指引中對未來 IT 基礎設置及服務器相關資本開支總體保持樂觀。
數據中心是云計算和云業務的基礎，而云 IT 基礎設施主要由交換機、服務器、光模塊、光纖光纜以及其他設備組成。光纖通信具有傳輸距離長、抗干擾、節省布線空間等特點，被廣泛應用于數據中心服務器、交換機和存儲光纖網絡中。
光模塊作為光纖通訊的核心元件，有望持續受益于服務器市場的增長。
此外，英特爾和 AMD 有望在 2023 年推出新一代服務器平臺，大型企業都加大了在邊緣服務器、元宇宙、超級計算機以及云服務器上的投入，這些都將會成為驅動服務器市場取得快速增長的關鍵因素。IDC 預測到 2026 年全球服務器銷售額將達到 1665 億美元，22-26 年 CAGR 達 10.2%。
核心驅動力二：電信市場持續受益于以 5G 和千兆光網為代表的“雙千兆”網絡建設
全球 5G 移動通信網絡建設及商用化帶動電信側高速光芯片需求增長。全球正在加快 5G 建 設進程，5G 建設和商用化的開啟，將拉動市場對光芯片的需求。
相比于 4G，5G 的傳輸速度更快、質量更穩定、傳輸更高頻，滿足數據流量大幅增長的需求，實現更多終端設備接入網絡并與人交互，豐富產品的應用場景。
根據 2022 年 11 月愛立信發布的報告，全球已有 228 家供應商推出了商用 5G 服務，預計 2022 年底全球 5G 用戶將達到 10 億，2028 年底全球 5G 用戶預計將達到 50 億，海外 5G 建設將持續加速，北美地區已進入第二波擴建潮，東南亞和大洋洲的 5G 建設也正在強勁增長。5G 移動通信網絡提供更高的傳輸速率和更低的時延，各級光傳輸節點間的光端口速率明顯提升，要求光模塊能夠承載更高的速率。
光模塊按應用場景分為前傳、中回傳光模塊，前傳光模塊速率需達到 25G，中回傳光模塊速率則需達到 50G/100G/200G/400G，帶動 25G 以及更高速率光芯片的市場需求。
根據 LightCounting 的數據，全球電信側光模塊市場前傳、（中）回傳和核心波分市場需求將持續上升，2020 年全球電信側光模塊市場規模達到 21.66 億美元，其中前傳、（中）回傳和核心波分市場規模分別達到 8.21 億美元、2.61 億美元和 10.84 億美元。
2025 年全球電信側光模塊市場規模預計將達到 33.55 億美元，其中前傳、（中）回傳和核心波分市場規模分別達到 5.88 億美元、2.48 億美元和 25.18 億美元，21-25 年核心波分市場規模 CAGR 達 21%。
“寬帶中國”推動光纖網絡建設，“銅退光進”推動光芯片用量提升。
FTTx 光纖接入是全球光模塊用量最多的場景之一，而我國是 FTTx 市場的主要推動者。受制于電通信帶寬限制、損耗較大、功耗較高等因素，運營商逐步將銅線網絡替換為光纖網絡。
目前全球運營商骨干網和城域網已實現光纖化，部分地區接入網已逐漸向全網光纖化演進。
PON 技術傳輸容量大，相對成本低，維護簡單，有很好的可靠性、穩定性、保密性，已被證明是當前光纖接入中非常經濟有效的方式，是實現 FTTx 的最佳技術方案之一，已成為光纖接入技術主流。
目前 PON 技術主要包括 APON/BPON、EPON、GPON 和 10G PON 等，當前主流的 EPON/GPON 技術采用 1.25G/2.5G 光芯片，并逐漸向 10G 光芯片過渡。10G PON 技術支持數 據上下傳速率對稱 10Gbps，能夠更好地滿足各類高速寬帶業務應用的接入網絡需求。
根據 LightCounting 的數據，2021 年 FTTx 全球光模塊市場出貨量預計為 5955 萬只，市場 規模為 5.23 億美元。
隨著新代際 PON 的應用逐漸推廣，2025 年全球 FTTx 光模塊市場出貨量預計將達到 9208 萬只，21-25 年 CAGR 達 11.5%。
2025 年全球 FTTx 光模塊市場規模預計將達到 6.31 億美元，21-25 年 CAGR 達 4.81%。
高速光芯片漸成行業趨勢，市場增速遠高于中低速光芯片。
隨著云計算、人工智能和機器學習等業務的興起，數據中心趨于更高速率發展，服務器、交換機等網絡設備也向著更高速率和更高性能發展，因此高速光模塊的需求不斷增加。
近年來，交換機互聯速率逐步由 100G 向 400G 升級，且已逐漸出現 800G 需求。
根據產業調研，目前海外的數據中心以 400G 光模塊為主，而 800G 光模塊僅有個別廠商可以做小批量供應，2023 年下半年預計將會有 1.6T（8*200G 或 4*400G）的光模塊進入數據中心進行驗證。
國內的數據中心多以 200G 和 400G 光模塊為主，在高速光模塊的導入進度上要慢于海外數據中心。
目前 10G 及以下速率的光芯片產品基本已經全部實現國產化，公司 25G 光芯片已通過大客戶認證，未來有望配套光模塊廠商進入國內外數據中心。在對高速傳輸需求不斷提升背景下，25G 及以上高速率光芯片市場增長迅速。
根據 Omdia 對數據中心和電信場景光芯片的預測，高速光芯片增速較快，2021-2025 年 25G 以上速率光模塊所使用的光芯片占比逐漸擴大，整體市場空間將從 19.13 億美元增長至 43.40 億美元，21-25 年 CAGR 達 22.7%。
1.3 供給端：海外廠商先發優勢明顯，國產替代進程加速
海外光芯片廠商具備先發優勢，國內廠商乘國產替代東風正迎頭趕上。我國光芯片產業參與者主要包括海外頭部光通信廠商、國內專業光芯片廠商及國內綜合光芯片模塊廠商。
1）海外頭部光通信廠商：三菱電機、住友電工、馬科姆（MACOM）、朗美通（Lumentum）、應用光電（AOI）、博通（Broadcom）等；
2）國內專業光芯片廠商：源杰科技、武漢敏芯、中科光芯、雷光科技、光安倫、云嶺光電等；
3）國內綜合光芯片模塊廠商或擁有獨立光芯片業務板塊廠商：光迅科技、海信寬帶、索爾思、三安光電、仕佳光子等。
從競爭格局和產品布局看，以住友電工、馬科姆（MACOM）、博通（Broadcom）為代表的歐美日綜合光通信企業在高速率光芯片市場占據主導地位，而中國廠商在中低速率芯片市場占據優勢，國產化率較高，但高速光芯片仍存在差距。
中低速光芯片基本實現國產化，高速光芯片仍依賴進口，國產替代空間巨大。
我國光芯片企業已基本掌握 2.5G 和 10G 光芯片的核心技術，但仍有部分性能要求高、難度大的產品依賴進口，實現批量供貨的國內廠商數量較少。
根據 ICC 的數據，2021 年 2.5G 及以下速率光芯片國產化率超過 90%；2021 年 10G 光芯片國產化率約 60%，部分性能要求較高、難度較大的 10G 光芯片產品仍需進口，如 10G VCSEL/EML 激光器芯片等，國產化率不到 40%；25G 及以上光芯片方面，隨著 5G 建設推進，我國光芯片廠商在應用于 5G 基站前傳光模塊的 25G DFB 激光器芯片有所突破，數據中心市場光模塊企業開始逐步使用國產廠商的 25G DFB 激光器芯片，2021 年 25G 光芯片的國產化率約 20%，但 25G 以上光芯片的國產化率僅 5%，目前仍以海外光芯片廠商為主。
公司為國內少數能提供 25G 光芯片產品的廠商，未來仍將持續受益于國產替代帶來的份額提升。
分產品看，國內廠商已掌握 2.5G 及 10G 光芯片的核心技術，同時出貨量全球占比較高。
25G 及以上高速率光芯片方面，我國國產化率低，受到工藝穩定性、可靠性、供貨能力及下游客戶認證等因素影響，我國的光模塊或光器件廠商仍然是優先采購海外的高速率光芯片，尤其在數據中心市場及高速 EML 激光器芯片等領域，僅少部分廠商實現批量發貨。
2.5G 光芯片：2.5G 光芯片多應用于光纖接入市場，國內光芯片企業已基本掌握核心技術， 產品基本實現國產化。
根據 ICC 的數據，2021 年全球 2.5G 及以下光芯片市場中，公司產品市占率約 7%。在該領域公司主要采取差異化的產品競爭策略，以附加值較高的產品為主。PON（GPON）數據上傳光模塊使用的 2.5G 1310nm DFB 光芯片，國產化程度較高，國外光芯片廠商由于成本競爭等因素，已基本退出相關市場；PON（GPON）數據下傳光模塊使用的 2.5G 1490nm DFB 光芯片由于可靠性要求高、難度大，國內可以批量供貨的廠商較少，根據 C&C 的數據，2020 年度公司占據 80%的市場份額。
相較競爭對手的同類產品，公司 2.5G 1490nm DFB 光芯片產品的性能指標具備以下兩個優勢：1）高溫斜效率最高，代表光電轉換效率高；2）垂直發散角最佳，代表較高的光信號耦合效率。
10G 光芯片：國內光芯片企業已基本掌握 10G 光芯片的核心技術，但部分型號產品如 10G 1577nm EML 光芯片仍存在較高技術門檻，需要依賴進口。
根據 ICC 的數據，2021 年全球 10G DFB 激光器芯片市場中，公司市占率為 20%，已超過住友電工、三菱電機等海外廠商。
相較競爭對手的同類產品，公司 10G 1270nm DFB 光芯片產品的性能指標具備以下三個優 勢：
1）公司產品高溫斜效率典型值為 0.34W/A 大于住友電工；
2）公司產品水平與垂直發散角均較小，整體耦光效率較高；
3）公司產品 3dB 帶寬最小值大于 14GHz，能夠滿足下游客戶的需求。10G 光芯片主要用于光纖接入市場、移動通信網絡市場和數據中心等細分市場。
1）光纖接入市場：10G 1270nm DFB 激光器芯片主要用于 10G PON 數據上傳光模塊，根據 C&C 的數據，2020 年公司在 10G PON（XGS PON）的海外出口的市占率接近 50%。
而 10G 1577nm EML 激光器芯片主要用于 10G PON 數據下傳，該產品設計與工藝開發復雜，國產化率低。
全球范圍內僅博通（Broadcom）、住友電工、三菱電機等少數頭部廠商能夠批量供貨，國內光芯片廠商中大客戶、海信寬帶可以實現部分自產自用。
2）移動通訊網絡：4G 網絡主要使用 10G 光芯片，5G 網絡主要使用 25G 光芯片，但由于成本等因素影響，2021 年存在 5G 基站使用升級的 10G 光芯片方案。
4G 網絡相對成熟，10G 光芯片供應商格局穩定，主要為三菱電機、朗美通（Lumentum）、海信寬帶、光迅科技等。公司應用于 5G 基站升級的 10G 光芯片已通過客戶驗證階段并將逐步拓展相關市場。
3）數據中心：海外數據中心正在由 100G 向更高速率光模塊過渡，國內互聯網公司由 40G/100G 向更高速率光模塊過渡。
其中 40G 光模塊使用 4 顆 10G DFB 光芯片方案，公司以及武漢敏芯等國內光芯片廠商都具備相關產品，但是下游光模塊廠商綜合考慮替換成本、可靠性、批量出貨能力等因素，用于數據中心的 10G 光芯片的國產化率提升仍需要一個過程。
25G 及以上光芯片：25G 及以上光芯片包括 25G、50G、100G 激光器及探測器芯片。
根據產業調研，VCSEL 激光器芯片傳送距離較短，主要用于數據中心內部互聯，目前僅博通具備可商用的單波 100G VCSEL 激光器芯片。
DFB 價格適中，商用速率最高 50G，是目前使用最多的激光器。EML 傳輸距離長，但價格較高，技術難度也較大，目前北美數據中心出貨較多的 400G 光模塊基本會使用 EML 激光器芯片。
單波 100G 的 EML 激光器芯片已經實現商用，部分廠商單波 200G 產品已有樣品。根據 ICC 的數據，25G 光芯片的國產化率約 20%，但 25G 以上光芯片的國產化率僅 5%。25G 光芯片國產化率的提升需要等待大客戶的驗證通過后起量，一般大客戶驗證通過后其他國內廠商會迅速跟進，但大客戶驗證周期較長。目前公司的 25G 激光器芯片已經通過大客戶驗證，預計未來有望逐步放量。
相較競爭對手的 同類產品，公司 25G CWDM6 波段 DFB 光芯片產品的性能指標具備以下四個優勢：
1）公司產品高溫閾值電流最低；
2）公司產品的高溫斜效率最小值大于 0.12 W/A ，超過朗美通；
3）公司產品的高溫 3dB 帶寬最小值為 15GHz，優于朗美通；
4）公司產品的發散角最小，耦光效率上相對較高。
25G 及以上光芯片主要應用于移動通信網絡市場和數據中心市場。
1)移動通信網絡：5G 網絡包括前傳、中傳和回傳等領域。25G 光芯片主要應用于 5G 前傳光模塊。根據 C&C 的數據，公司在 2020 年憑借 25G MWDM 12 波段 DFB 光芯片，成為 滿足中國移動相關 5G 建設方案批量供貨的廠商。而 5G 中回傳光模塊所使用的 25G EML 光芯片，主要為三菱電機、住友電工、朗美通（Lumentum）等海外企業供應。
2）數據中心：海外數據中心從 2020 年開始由 100G 向 200G/400G 光模塊過渡，國內數據中心由 2022 年開始由 40G/100G 向 200G/400G 光模塊過渡。
其中，100G 光模塊需求量占比超過 60%，主要使用 4 顆 25G DFB 光芯片方案或 1 顆 50G EML（通過 PAM4 技術調制為 100G）光芯片方案;200G 及以上速率光模塊主要使用 EML 光芯片方案。
目前數據中心用光模塊所需 25G 光芯片以海外廠商為主，國內新進玩家逐漸增多，公司 25G DFB 光芯片已實現批量供貨，并用于全球知名高科技公司 G。EML 芯片設計及生產工藝復雜，僅海外廠商具備批量供貨能力，公司產品處于研發階段。
2.1 長期深耕光芯片領域,管理層技術背景深厚
持續深耕光芯片領域，多年積累建立 IDM 全流程業務體系。
源杰科技成立于 2013 年，公司自成立以來始終聚焦于光芯片行業，主營業務為光芯片的研發、設計、生產與銷售，目前公司產品涵蓋從 2.5G 到 50G 磷化銦激光器芯片。
公司產品廣泛應用于光纖到戶、數據中心與云計算、4G/5G 移動通信網絡、通信骨干網絡和工業物聯網等終端賽道。
公司產品已實現向客戶 A1、海信寬帶、中際旭創、博創科技、銘普光磁等國際前十大及國內主流光模塊廠商批量供貨，產品用于客戶 A、中興通訊、諾基亞等國內外大型通訊設備商，并最終應用于中國移動、中國聯通、中國電信、AT&T 等國內外知名運營商網絡中。
經過多年研發與產業化積累，公司已建立了包含芯片設計、晶圓制造、芯片加工和測試的 IDM 全流程業務體系。
主要產品獲得行業認可，高速激光器芯片技術先進。
經過多年研發與產業化積累，公司已建立“兩大平臺”并積累“八大技術”，自主研發形成的核心技術水平先進，主要產品獲得行業廣泛認可。
根據 C&C 的數據，2020 年公司憑借 2.5G 1490nm DFB 光芯片，已成為客戶 A 該芯片的主要供應商；憑借 10G 1270nm DFB 光芯片，公司在出口海外 10G-PON （XGS-PON）市場中已實現批量供貨；憑借 25G MWDM 12 波段 DFB 光芯片，公司成為中國移動相關 5G 建設方案批量供貨的廠商。
2020 年在磷化銦（InP）光芯片對外銷售的國內廠商中，公司營收排名第一，其中 10G 和 25G 光芯片的出貨量在國內同行業公司中均排名第一，2.5G 光芯片的出貨量在國內同行業公司中排名領先。
公司股權架構穩定,實控人 ZHANG XINGANG 擁有 37.86%控制權,其他股東承諾不謀求公司 控制權。
ZHANG XINGANG 直接持有公司 16.77%的股份，并通過員工持股平臺欣芯聚源間接持有公司 2%的股份，為公司第一大股東。
張欣穎、秦衛星、秦燕生與 ZHANG XINGANG 簽 署了《一致行動協議》，為公司實控人的一致行動人。
因此，ZHANG XINGANG 合計可控制公司 37.86%的股權。此外，公司其他持股 5%以上股東已出具書面協議承諾不謀求公司控制權。同時，公司在前期股權融資過程中引入了華為哈勃、先導光電、國投創投等著名投資機構。
核心管理層技術背景深厚。董事長兼總經理 ZHANG XINGANG 先生本科畢業于清華大學，博士畢業于南加州大學材料科學，曾先后擔任 Luminent 研發員、研發經理，Source Photonics 研發總監，擁有 20 多年光芯片行業的研發和生產經驗。副總經理陳文君先生擁有華中科技大學光學工程碩士學位，曾先后擔任 Fiberxon 新產品導入工程師、RTI 高級產品經理、Mellanox Technologies 亞太區市場與銷售總監以及博創科技副總經理。副總經理潘彥廷先生擁有臺灣科技大學電子工程專業博士學位，曾擔任索爾思光電研發工程師。
2.2 縱向推動中高端產品研發，橫向布局激光雷達芯片
公司主營業務聚焦光芯片，主要產品包括 2.5G、10G、25G 及更高速率激光器芯片。光芯 片為光電轉換的核心組件，激光器芯片主要作用是將電信號轉換為光信號，為光接收組件 （ROSA）的核心部件；探測器芯片主要將光信號轉換為電信號，為光發射組件（TOSA）的核心部件。
公司自成立以來始終聚焦光芯片行業，產品廣泛應用于光纖接入、4G/5G 移動通信網絡和數據中心等領域，公司更基于已有技術基礎上加大產品延伸力度，進行高功率硅光激光器、激光雷達光源、激光雷達接收器等新應用的開發。
公司持續優化產品結構，中端產品實現放量。
2019 年公司主營產品以 2.5G 光芯片為主，2020 年公司 25G 光芯片產品入選 5G 建設方案，當年度該產品營收實現放量，2021 年至今 5G 建設方案調整影響 25G 光芯片出貨量，但光纖接入市場需求持續旺盛，帶動中端 10G 光芯片產品持續放量。
2019-1H22 的營收中 2.5G 光芯片占比分別為 85%、36%、43%和 43%，占比逐步下降；10G 光芯片的營收占比分別為 14%、21%、42%和 46%，占比逐步提高，產品實現放量；受到 5G 建設方案調整的影響，25G 光芯片營收有所波動，占比分別為 1%、43%、16%和 11%。
近年來，公司在穩步提升 2.5G 光芯片營收的同時，持續推動產品組合高端化，持續布局 25G 及更高速率光芯片，隨著下游光模塊廠商向著 200G/400G/800G 更高速率發展，公司中高端光芯片的占比有望繼續提升。
核心業務一：2.5G 光芯片。
2.5G 光芯片主要用于光纖接入市場，產品技術相對成熟。
國內光芯片企業已基本掌握其核心技術，產品基本實現國產化，導致市場競爭相對激烈。公 司在此領域中實行產品差異化競爭策略，以銷售可靠性要求較高、難度大的產品為主，如 PON（GPON）數據下傳光模塊使用的 2.5G 1490nm DFB 光芯片。
根據 C&C 的數據，2020 年公司在該產品中的市占率約 80%。2.5G 光芯片是公司的主要收入來源之一，受益于新一代基于 10G-PON（XG-PON）的千兆光纖網絡升級，國內外光纖接入市場需求持續釋放，該產品營收規模呈現穩定增長態勢，但營收增速略有下滑，而營收占比由于 10G 和 25G 產品的放量而逐年下降。
核心業務二：10G 光芯片。
10G 光芯片主要用于光纖接入市場、移動通信網絡市場和數據中心市場。
目前 10G 光芯片國產化率約 60%，但部分技術門檻較高的產品如 10G 1270nm DFB 光芯片仍依賴進口。
根據 ICC 的數據，2021 年公司 10G DFB 光芯片出貨量占全球的 20%，已超過住友電工、三菱電機等海外廠商。2020 年，公司 10G 1270nm DFB 光芯片在出口海外 10G-PON(XGS-PON)的市場已能實現批量供貨，帶動該產品的營收較大幅度增長。
公司的 10G 1310nm DFB 光芯片憑借高可靠性及高性價比等優勢，已實現對移動通信市場 的大批量供貨。2022 年上半年 10G-PON(XGS-PON)市場需求持續旺盛，帶動公司產品進一 步放量。2022 年上半年 10G 光芯片產品實現營收 0.56 億元，同比增加 93%，仍保持著前 兩年的高增速。
核心業務三：25G 光芯片。
25G 光芯片主要應用于移動通信網絡市場和數據中心市場。
2019- 1H22 公司 25G 光芯片營收波動較大，主要原因為：2019 年公司 25G 產品尚處于研發及客戶認證階段，營收貢獻較小。
2020 年國內 5G 基站進入大規模部署階段，帶動 5G 前傳用 25G 光芯片需求量提升，公司 25G MWDM 12 波段 DFB 光芯片入選中國移動 5G 建設方案，因此當年度 25G 光芯片實現放量。
2021 年雖然數據中心的高速發展帶動公司的 25G CWDM 4 波段 DFB 光芯片出貨量上升，但 5G 基站建設方案調整導致市場需求下降，疊加 2021 年 25G 光芯片 ASP 同比下降 25%，公司 25G 光芯片營收較上年度有所下降。
公司在現有的光通信領域中繼續縱向深耕，推出更高速率的激光器芯片產品；在橫向發展方面，不斷擴充光芯片新的應用場景，積極向激光雷達、消費電子等領域布局探索。
公司已有 1550nm 車載激光雷達激光器芯片布局，并與部分激光雷達廠商達成合作意向，實現激光雷達領域光芯片少量送樣。
激光器芯片為激光雷達的核心組件之一，公司已有 1550nm 激光器芯片產品布局。激光雷達通常由發射單元、接收單元、控制單元以及信號處理單元組成。
在激光雷達中，激光器芯片作為光源將會發射激光脈沖，激光調制器通過光束控制器控制發射激光的方向和線數，最后通過發射光學系統，將激光發射至目標物體。
隨后，接收芯片接收到返回的信號，通過激光雷達中的計算機處理相位、頻率、偏振以及振幅等各類參數來生成所需要的信息。
自動駕駛技術的發展，推動激光雷達市場規模逐年成長。
根據 Yole 的數據，2021 年全球激光雷達市場規模 21 億美元，2027 年激光雷達市場規模有望成長到 63 億美元，22-27 年 CAGR 達 22%。
其中 ADAS 將成為主要增長驅動力，2021 年全球 ADAS 用激光雷達市場規模 僅 3800 萬美元，2027 年市場規模有望成長到 20 億美元，22-27 年 CAGR 達 73%。
激光雷達國內玩家眾多，公司有望持續受益于國產份額的提升。
全球激光雷達行業匯聚了法雷奧、速騰聚創、Luminar、Livox、電裝、大陸、賽瞳、Innoviz、華為、禾賽科技等眾多國內外玩家。
2021 年法雷奧市占率 28%，速騰聚創市占率 10%，位列前兩名。除此之外，激光雷達行業總體競爭格局分散，國內廠商較多，且占據一定市場空間。
未來公司激光器芯片有望打入國內廠商供應鏈，隨著國產激光雷達的市占率提升而實現營收成長。
2.3 公司主營收入有所波動，毛利率領先行業平均水平
公司營業收入及歸母凈利潤有所波動。公司 2019-2022Q3 營業收入為 8,131 萬元、23,337 萬元、23,211 萬元和 19,344 萬元，同比增長 15%、187%、-1%和 26%。
公司 2019-2022Q3 歸母凈利潤為 1,321 萬元、7,884 萬元、9,529 萬元和 7,392 萬元，同比增長-15%、497%、21%和 23%。
2020 年公司營收快速增加系當年國內 5G 基站進入大規模部署階段，對 25G 光芯片的需求量大幅增加，25G 光芯片大量出貨為公司貢獻較多營收。
2021 年 5G 基站建設方案調整，導致 25G 光芯片需求量和價格回落，但國內光纖接入市場開始持續放量，公司 10G 光芯片營收大幅度增加，使得公司 2021 年總營收較上一年度基本持平。
2022 年上半年，公司所處下游賽道的市場競爭略有緩和，公司主要產品的平均售價較上年度變動不大,2022 年前三季度營收和歸母凈利潤同比增速恢復穩健成長。
公司在可比公司中的營收規模偏小，但營收增速在行業內靠前。
海外光通信產業發展起步較早，技術儲備和專利數量豐富,海外領先廠商能夠覆蓋光芯片至光模塊全產業鏈，實現光芯片產業鏈的垂直一體化且具備高端外延片生產能力。
國內光通信產業仍處于發展階段，光芯片相關公司上市較少,公司為 A 股稀缺的光芯片 IDM 廠商。
從業務體量上看，除了與公司主營業務較接近的海外廠商馬科姆營收超 30 億元外，其他可比公司的營收規模都不足 10 億。公司 2022 年前三季度實現營收 1.93 億，同比增長 26%。
公司在可比公司中營收規模偏小,近幾年營收增速在可比公司排名靠前,未來營收規模差距有望逐漸縮小。
公司毛利率位于行業領先水平。
公司2019-2022年前三季度毛利率為45%、68%、65%和63%，其中 10G、25G 光芯片毛利率相對較高。
公司毛利率自 2020 年以來始終呈現下降趨勢，主要原因系終端光模塊廠家每年甚至每半年都會對供應商有降價需求，從而對光芯片供應商的出貨價格造成壓力。
光芯片經過幾年的降價后，降價幅度會逐步減少，直到價格維持相對穩定。2020 年恰逢公司 10G 和 25G 光芯片同步放量，新產品的高單價使公司毛利率達到高點，隨后產品單價開始下跌，導致公司毛利率同步下滑。
我們預期公司的主營產品經過兩年的降價后，未來毛利率將繼續小幅下滑，但是下降幅度將會收斂。同期，可比公司的平均毛利率為 39%、40%、44%和 42%，公司毛利率領先行業平均水平。
主要受益于國內 5G 建設的先發優勢，公司 25G 產品在國內較早入選 5G 建設方案，拉高了公司毛利率。同時公司位于產業鏈中游，光芯片相較于可比公司中的下游器件及模塊產品毛利率更高。
公司研發費用率低于行業平均水平。
2019-2022 年前三季度公司研發費用率為 14%、7%、8%和 9%，同期可比公司的平均研發費用率為 21%、16%、14%和 16%。
公司研發費用率低于同行業可比公司的平均水平，主要原因為公司自成立以來一直致力于光芯片的開發，形成了較多技術儲，且公司主要以 IDM 模式經營，在自有產線上進行工藝研發的成本小于委外研發，因此導致公司研發費用率偏低。
公司費用管控總體良好，規模效應凸顯后費用率有望下降。除研發費用外，公司銷售費用和管理費用總體管控良好。
2020 年管理費用增長較多主要系員工股權激勵計劃造成計提 2,667 萬元股份支付費用，且當年公司為籌劃上市聘請中介機構支付其咨詢服務費用和上市相關服務費。我們認為隨著公司營收規模的擴大，未來費用率有望下降。
3.1 公司具備全流程 IDM 模式，助力公司降本增效
根據經營模式不同，可將芯片設計企業分為 IDM、Fabless、Foundry 三種。
在 IDM （Integrated Device Manufacture 垂直整合制造）經營模式下，廠商獨立進行產品設計、晶圓制造、封裝測試環節，并將生產出 IC 產品進行銷售。
采用 Fabless（無工廠芯片供應商）經營模式的企業只專注于產品設計及最終銷售，將晶圓制造、封裝測試環節全面委托給代工廠進行。在 Foundry（代工廠）經營模式下，廠商只負責制造、封裝或測試的其中一個環節，不負責芯片設計。
IDM 經營模式更為可控靈活，龍頭廠商多采用 IDM 經營模式；對于新進入的企業多采用 Fabless 經營模式，可以減少生產設備、工藝等方面帶來的大規模資本投入。
公司已建立激光器芯片生產全流程 IDM 模式。
公司聚焦激光器芯片行業十年，已掌握從技術設計到生產制造的各個環節，建立了 IDM 全流程業務體系，擁有多條覆蓋 MOCVD 外延生長、光柵工藝、光波導制作、金屬化工藝、端面鍍膜、自動化芯片測試、芯片高頻測試、可靠性測試驗證等全流程自主可控的生產線。
IDM 模式更有利于公司各環節的自主可控，為公司降本增效。
在 IDM 模式下，公司能夠快速將公司技術研發與生產制造結合，及時根據市場需求變化進行產品迭代更新，調整工藝參數和生產計劃與方案，提高公司在產品、生產成本和響應速度上的競爭力，滿足客戶多樣性的需求，并能在全流程中保證芯片的生產良率，提高產品可靠性，合理安排工期，保證穩定的交付，有效保護產品設計與生產中的知識產權和供應鏈安全。
光芯片生產環節與工藝要求較為復雜。
主要包括芯片設計、基板制造/襯底、磊晶生長/外延片、晶粒制造以及封裝測試五大環節。我國多數企業集中在芯片設計領域，能夠根據芯片功能需求，按照規格制定、邏輯合成、電路布局的步驟設計光電線路圖，但不具備生產制造能力。
基板制造/襯底環節主要指將 InP/GaAs 等材料經提純、拉晶、切割、拋光、研磨制成單晶體基板/襯底，其技術關鍵是提純。磊晶生長/外延片環節是將基板/襯底通過氣相外延、液相外延、分子束外延等設備生長晶體，控制晶體的摻雜濃度、沉積厚度等制成外延片的環節。
晶粒制造環節和封裝測試環節將對外延片進行掩膜、光刻、刻蝕等步驟的處理，并進行切割、封裝形成性能完備的芯片，最后對其特性、質量進行測試等。
光芯片產品指標多樣，可靠性驗證耗時較長。
光芯片產品下游客戶主要為運營商及互聯網廠商，可能包含一些環境惡劣的應用場景，因此更重視產品長期使用的可靠性，對產品指標要求多樣，需要進行高溫大電流長時間老化測試、高低溫溫循驗證、高溫高濕環境驗證等，驗證周期通常需要超過二至三個季度。
IDM 模式下，公司可以針對驗證中出現的問題及時排查調整，提高生產效率。
高速率光芯片對 MOCVD 工藝要求更為嚴格。以 25G DFB 光芯片為例，主要涉及到的工藝有量子阱外延層、光柵結構、模斑轉換器、光波導、注入電流限制結構、減薄與高頻電極的 設計和制造、巴條解理的工藝制造與光學端面鍍膜的設計和制造、芯片切割的工藝制造。
其中，25G DFB 激光器芯片的有源區量子阱層數較中低速率激光器芯片超過 50%，要求對 每層量子阱實現埃米級（0.1nm）控制，厚度精度誤差小于 0.2nm,以保證其光電轉化效率與高速性能，對 MOCVD 工藝要求更為嚴格。
公司已掌握 MOCVD 設備和相關工藝技術,能夠自主生產晶圓量子阱外延，實現對量子阱的埃米級（0.1nm）精度控制，材料組份精度誤差小于 0.1%，量子阱應力精度誤差小于 0.2%。
3.2 公司技術國內領先，形成兩大平臺、八大技術
公司針對產品特性，建立兩大制造平臺。
根據產品特點及性能指標，公司已建立“掩埋型激光器芯片制造平臺”和“脊波導型激光器芯片制造平臺”兩大平臺。
其中，掩埋型結構要求成熟的晶圓外延與刻蝕技術，該結構產品具有更好的高電光轉化效率，滿足低功耗、大功率激光器芯片的需求，如公司主要產品之一的大功率 2.5G 激光器芯片。
脊波導型結構適用于 10G、25G 以及更高速激光器芯片，要求精確控制脊波導尺寸以保證電注入效率與產品高速性能。
公司兩大平臺工藝領先，技術積累豐富。
公司“掩埋型激光器芯片制造平臺”成功開發 70mW 大功率激光器芯片將成為應對滿足未來硅光趨勢的產品，且平臺已積累（1）晶圓的量子阱外延技術；（2）晶圓的電流阻擋層外延技術；（3）晶圓的臺階刻蝕技術；（4）晶圓的低缺陷多次外延技術；（5）完整的可靠性驗證與測試。
此外，公司“脊波導型激光器芯片制造平臺”能夠穩定完成制作低缺陷的脊波導型激光器芯片，已積累（1）高精度電子束光柵曝光系統的生產工藝；（2）高精度低缺陷脊波導刻蝕工藝；（3）針對不同應用的異質結波導技術；（4）脊波導激光器芯片的可靠性與高頻驗證體系。
八大技術助力公司產品建立性能與成本優勢。
為實現激光器芯片的性能優化及成本降低，公司已掌握八大核心技術。
異質化合物半導體材料對接生長技術，大功率激光器芯片技術，高速調制激光器芯片技術，非氣密應用芯片結構技術，抗反射技術，電吸收調制器集成技術，相移光柵技術。
公司核心技術能在優化產品性能方面，提升激光器芯片在高速調制、高可靠性、高信噪比、高電光轉換等方面的性能；降低產品成本方面，可提高激光器芯片的良率，并簡化對其他器件的需求。
公司中高端產品在相移光柵技術的基礎上使用較為先進的電子束光柵工藝及。
DFB 激光器芯片在普通激光芯片的基礎上，通過增加一層特殊設計制造的布拉格光柵層，使得發射光子的波長高度一致，能量更為集中，因此光柵工藝對激光器芯片的性能影響尤為關鍵。
利用電子束制成掩膜圖形的工藝較全息光柵工藝控制精度更高，并且能構建非等周期光柵結 構，在光功率、單模良率、極限工作溫度、高頻特性等指標具有明顯優勢。
公司除在部分低速率 2.5G 激光器芯片制造中使用全息光柵工藝，其他激光器芯片均采用先進的電子束光柵工藝。
3.3 公司擴產中高端產品，持續加碼高端光芯片
公司 IPO 募投項目擴產中高端產品，并繼續投入高速光芯片研發。
2022 年 12 月，公司以每股 100.66 元的價格公開發行 1500 萬股，發行后公司總股本為 6000 萬股。
本次 IPO 募集總金額 15.1 億，其中 9.8 億計劃用于 10G 和 25G 光芯片產線建設項目、50G 光芯片產業化建設項目、研發中心建設項目以及補充流動資金，其余為超募資金。
公司 50G 光芯片產業化項目推進,有助于鞏固公司行業地位。
目前國內具備 50G 高速光芯片產品量產能力的公司較少，公司“50G 光芯片產業化建設項目”計劃總投資 1.29 億元，將在公司自有土地上建立 50G 光芯片產線，2 年內完成產線建設，有利于公司搶占國內高速光芯片市場先機，順應高性能光芯片的國產替代化趨勢，鞏固公司行業地位，拓展高端產品市場。
公司研發中心建設項目進一步提升公司研發水平。
公司將對現有研發中心進行升級，布局高功率硅光激光器、激光雷達光源、激光雷達接收器等方向，加碼研發高速率光芯片、硅光激光器芯片，保持公司產品的技術先進性。
另外，公司擬通過建設項目購置先進的電子束曝光系統、金屬有機氣相外延爐、高精度光刻機等生產設備和芯片光電測試系統、高頻測試系統等檢測設備及設計開發軟件，有助于進一步提升研發設施和改善研發環境，提升其產品競爭力。
公司在研項目布局硅光及高速率光芯片，助力公司高端產品迭代更新。公司高端產品已有 50G DFB 激光器芯片及大功率系列激光器芯片，在國內高端激光器芯片具有一定先發優勢。
目前公司 100G EML 激光器開發、大功率 EML 光芯片的集成工藝開發已進入工程驗證階段，仍有 50G 及以下、100G 光芯片的可靠性機理研究，工業級 50mW/70mW 大功率硅光激光器開發，1550 波段車載激光雷達激光器芯片設計驗證測試階段，有助于公司及時進行高端產品的迭代更新。
4.1 盈利預測
2.5G 光芯片：主要用于光纖接入市場，產品技術相對成熟，國產化程度高，國內光芯片企 業已基本實現國產化。
公司在此領域中實行產品差異化競爭策略，以可靠性要求較高、難度大的產品為主。
2019-1H22 公司 2.5G 光芯片產品營收分別為 6,898 萬元、8,425 萬元、9,925 萬元和 5,288 萬元，同比增長 8%、22%、18%和 14%。
2019-2021 年，公司直接受益于寬帶中國戰略推動下的光纖到戶覆蓋率提高以及基于 10G-PON 技術的千兆光纖網絡升級，同時憑借著高性能指標、高可靠性等優異的產品特性和 IDM 模式帶來的低成本優勢，在競爭加劇的 2.5G 光芯片市場保持著較高的出貨量。
2021 年以來，國內外光纖接入市場的需求持續釋放，公司 2.5G 光芯片出貨量保持較快的增速，該產品的售價仍將持續下降，但下降空間有限，因此該產品營收將保持小幅增長趨勢。我們預計 22-24 年 2.5G 光芯片的收入增速分別為 5%、12%和 16%。
毛利率方面，預計 22-24 年 2.5G 光芯片毛利率分別為 49.2%、50.3%、51.3%，主要在于：公司 2.5G 光芯片為公司主力產品，商用化已有一段時間，未來平均售價下降幅度有限，但規模效應使得單位成本仍在持續下降，使得該產品毛利率水平略有提高。
因為我們預計 22-24 年該塊業務毛利率相較 2021 年有望小幅上升。
10G 光芯片：主要用于光纖接入市場、移動通信網絡市場和數據中心市場。
目前國內光芯片企業已基本掌握 10G 光芯片核心技術，但部分技術門檻較高的產品如 10G 1577nm EML 光芯片仍依賴進口。
2021 年公司在 10G 光芯片領域出貨量占比約 20%，已超過住友電工、三菱電機等海外廠商。
2019-1H22 公司 10G 激光器芯片營收分別為 1,156 萬元、4,854 萬 元、9,646 萬元和 5,593 萬元，同比增長 82%、320%、99%和 92%，在營收中的占比為 14%、21%、42%和 46%，營收維持高增速，占比呈現上升趨勢。
2021 年以來，光纖接入中的 10G-PON（XGS PON）市場繼續保持旺盛的需求，公司 10G 光芯片的營收保持高增速。
公司產品份額持續提升，實現對進口產品的替代，帶動 10G 光芯片營收大幅度增加，因此 我們預計 22-24 年 10G 光芯片的收入增速分別為 26%、57%和 42%。
毛利率方面，預計 22-24 年 10G 光芯片毛利率分別為 66.2%、62.3%、60.8%，主要在于： 2022 年以來，公司 10G 光芯片的產品組合發生變化，TO 形態產品占比逐步提高，平均單 位成本增加，疊加產品售價仍有下降空間。因為我們預計該塊業務毛利率未來呈下降趨勢。
25G 光芯片：主要用于移動通信網絡市場和數據中心市場。2019-1H22 公司 25G 光芯片營 收分別為 69 萬元、10,057 萬元、3,626 萬元和 1,339 萬元。
根據愛立信的數據，預計 2022 年底全球 5G 用戶將達到 10 億，2028 年底全球 5G 用戶有望達到 50 億，海外 5G 滲透率仍有較大提升空間。我們看好海外 5G 建設將持續加速，北美地區已進入第二波擴建潮，東南亞和大洋洲的 5G 建設也正在強勁增長。因此，我們預計 22-24 年 25G 光芯片的收入增速分別為 10、49%和 55%。
毛利率方面，預計 22-24 年 25G 光芯片毛利率分別為 78.8%、73.7%、71.0%，主要在于：
1）同一大類產品結構發生轉換，早期 25G 光芯片多出貨給 5G 基站建設，25G CWDM6/LWDM 12/MWDM 12 波段 DFB 光芯片相對售價較高。而隨著 5G 建設的調整，數據中心業務的崛起，公司銷售給數據中心的 25G CWDM 4 波段 DFB 光芯片定價較低，拉低 25G 光芯片平均售價。
2）2022 年，受自產封裝占比提升影響，25G 光芯片的平均單位成本同比增加，導致毛利 率下降。
費用率假設：隨著收入規模的逐步增長，規模效應逐漸顯現，2019-2021年公司研發費用率、銷售費用率、管理費用率逐步下降，但由于光芯片行業對優秀人才的需求大以及對優秀在職工程師的穩定性要求高，且海外可比公司在高速率光芯片上仍具備領先優勢等特點。
公司作為創新技術驅動型企業，通過持續加大研發投入進一步拓展公司高端產品，來提升公司產品的技術水平，因此我們預計未來 3 年研發費用率逐步提升；預計未來兩年公司將加大市場拓展銷售率保持穩定。因此，我們預計 22-24 年公司整體費用率將呈逐年下降趨勢。
綜上，我們預計公司 2022-2024 年營收為 2.66 億元、3.75 億元和 5.24 億元，歸母凈利潤分別為 1.06 億元、1.60 億元和 2.20 億元。
4.2 估值
預計公司 2022-2024 年凈利潤為 1.06 億元、1.60 億元和 2.20 億元，對應 EPS 為 1.76 元、 2.67 元和 3.66 元，對應 PE 為 68x、45x 和 33x。
我們選取長光華芯、仕佳光子和中際旭創 3 家可比公司對公司進行估值。公司作為 A 股稀缺的光芯片龍頭，持續推動產品結構升級，同時受益于海內外光纖接入和數據中心的快速發展，帶動公司中高速率光芯片的放量。
給予 2023 年 65 倍估值，市值 104.1 億元，目標價 173.52 元。
下游需求不及預期：
公司產品面向光纖接入、移動通信網絡和數據中心等客戶，光芯片行業作為光通信產業鏈的上游，易受下游電信市場及數據中心市場需求變化影響。如果未來下游市場景氣度下滑，導致主要客戶的需求大幅下降，存在需求不及預期以及營收下滑的風險。
產品迭代不及預期：
公司所處光芯片領域，終端產品光模塊迭代速度快，目前已向 400G/800G 乃至更高速率發展，海外光芯片廠商持續加大研發投入，行業競爭日益激烈，如果公司產品組合無法持續迭代，可能會對公司進一步發展造成影響。
財務投資者減持風險：
公司在 IPO 前引入了多位外部投資者，上述投資者可能在上市后減持公司股票，可能對公司未來經營情況產生不利影響。
股票解禁風險。
2023 年 6 月 21 日公司將解禁 56.58 萬股，占公司總股本的 0.94%，股票解禁存在對公司股價造成沖擊的影響
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屬深圳證券交易市場，上市日期為2021年1月4日。
河北中瓷電子科技股份有限公司成立于2009年，總股本10,666.6667萬股。公司是專業從事電子陶瓷系列產品研發、生產和銷售的高新技術企業，致力于成為世界一流的電子陶瓷產品供應商，為客戶提供創新、高品質、有競爭力的電子陶瓷產品。
公司主要產品包括光通信器件外殼、無線功率器件外殼、紅外探測器外殼、大功率激光器外殼、聲表晶振類外殼、3D光傳感器模塊外殼、5G通信終端模塊外殼、氮化鋁陶瓷基板、陶瓷元件、集成式加熱器等，廣泛應用于光通信、無線通信、工業激光、消費電子、汽車電子等領域。
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